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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ14PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFZ14PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFZ14PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ14PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFZ14PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85790

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ14PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFZ14PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFZ14PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFZ14PBF.

Produkteigenschaften IRFZ14PBF IRFZ10 IRFZ14S IRFZ14
Artikelnummer IRFZ14PBF IRFZ10 IRFZ14S IRFZ14
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Grundproduktnummer IRFZ14 IRFZ10 IRFZ14 IRFZ14
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Verlustleistung (max) 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V

IRFZ14PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ14PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFZ14PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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