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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ20PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFZ20PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFZ20PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ20PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFZ20PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39700

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ20PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFZ20PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFZ20PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFZ20PBF.

Produkteigenschaften IRFZ20PBF IRFZ20 IRFZ14PBF IRFZ24NPBF
Artikelnummer IRFZ20PBF IRFZ20 IRFZ14PBF IRFZ24NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V
Serie - - - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 6A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 10A (Tc) 17A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IRFZ20 IRFZ20 IRFZ14 IRFZ24
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 40W (Tc) 43W (Tc) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 50 V 60 V 55 V

IRFZ20PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ20PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFZ20PBF - Vishay Siliconix herunter.

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Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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