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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL620S
Vishay Siliconix
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IRL620S - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL620S
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL620S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL620S, SiHL620S.pdf
vorrätig: 4760

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Spezifikation

IRL620S Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL620S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL620S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL620  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL620S.

Produkteigenschaften IRL620S IRL610A IRL620STRL IRL60HS118
Artikelnummer IRL620S IRL610A IRL620STRL IRL60HS118
Hersteller Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 33W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 11.5W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 800mOhm @ 3.1A, 10V 17mOhm @ 11A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 6-PowerVDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Tc) 3.3A (Tc) 5.2A (Tc) 18.5A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 8 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer IRL620 - IRL620 IRL60HS118
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 5V 4V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220-3 D²PAK (TO-263) 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 10µA

IRL620S Datenblatt PDF

Laden Sie IRL620S PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL620S - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRL620S, SiHL620S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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