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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL620SPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL620SPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL620SPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL620SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL620S, SiHL620S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35470

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Anzahl

Spezifikation

IRL620SPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL620SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL620SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL620  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL620SPBF.

Produkteigenschaften IRL620SPBF IRL610A IRL630 IRL620
Artikelnummer IRL620SPBF IRL610A IRL630 IRL620
Hersteller Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 5V 4V, 5V 4V, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A (Tc) 3.3A (Tc) 9A (Tc) 5.2A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 800mOhm @ 3.1A, 5V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220AB TO-220AB
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 33W (Tc) 74W (Tc) 50W (Tc)
Grundproduktnummer IRL620 IRL61 IRL630 IRL620

IRL620SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL620SPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL620SPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRL620S, SiHL620S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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