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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF Image
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IRLL014TRPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLL014TRPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL014TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL014.pdf
RoHS Status
vorrätig: 123450

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Anzahl

Spezifikation

IRLL014TRPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLL014TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLL014TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLL014  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLL014TRPBF.

Produkteigenschaften IRLL014TRPBF IRLL014TR IRLL014NTRPBF IRLL014NPBF
Artikelnummer IRLL014TRPBF IRLL014TR IRLL014NTRPBF IRLL014NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A (Tc) 2.7A (Tc) 2A (Ta) 2A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 1W (Ta) 1W (Ta)
Grundproduktnummer IRLL014 IRLL014 IRLL014 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 5V 200mOhm @ 1.6A, 5V 140mOhm @ 2A, 10V 140mOhm @ 2A, 10V
Serie - - HEXFET® HEXFET®

IRLL014TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL014TRPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLL014TRPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015.pdf
Datenblätter
IRLL014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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