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IRLL014NTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLL014NTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL014NTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL014N.pdf
vorrätig: 4860

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Spezifikation

IRLL014NTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLL014NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLL014NTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLL014NTR.

Produkteigenschaften IRLL014NTR IRLIZ44GPBF IRLL014NTRPBF IRLL014
Artikelnummer IRLL014NTR IRLIZ44GPBF IRLL014NTRPBF IRLL014
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 55 V 60 V
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 48W (Tc) 1W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 TO-220-3 SOT-223 SOT-223
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 10V 28mOhm @ 18A, 5V 140mOhm @ 2A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 66 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 8.4 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 30A (Tc) 2A (Ta) 2.7A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRLL014NTR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL014NTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLL014NTR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLL014N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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