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IRLL110TRPBF-BE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer: IRLL110TRPBF-BE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Allelco Artikelnummer: 32D-IRLL110TRPBF-BE3

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

detaillierte Beschreibung

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Datenblatt: IRLL110.pdf

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vorrätig: 116380

Spezifikation

IRLL110TRPBF-BE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF-BE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF-BE3

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 900mA, 5V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.5A (Tc)
Grundproduktnummer	IRLL110

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLL110TRPBF-BE3.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	IRLL110TRPBF-BE3	IRLL110TRPBF	IRLL110TR	IRLL2703PBF
Hersteller	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 3.1W (Tc)	2W (Ta), 3.1W (Tc)	2W (Ta), 3.1W (Tc)	1W (Ta)
Vgs (Max)	±10V	±10V	±10V	±16V
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223	SOT-223	SOT-223	SOT-223
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	4V, 5V	4V, 5V	4V, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V	6.1 nC @ 5 V	6.1 nC @ 5 V	14 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V	100 V	100 V	30 V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Serie	-	-	-	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V	530 pF @ 25 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	2V @ 250µA	2V @ 250µA	2.4V @ 250µA
Grundproduktnummer	IRLL110	IRLL110	IRLL110	-
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 900mA, 5V	540mOhm @ 900mA, 5V	540mOhm @ 900mA, 5V	45mOhm @ 3.9A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.5A (Tc)	1.5A (Tc)	1.5A (Tc)	3.9A (Ta)

IRLL110TRPBF-BE3 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL110TRPBF-BE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLL110TRPBF-BE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter: IRLL110.pdf

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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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