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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ14STRL
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLZ14STRL - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ14STRL
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ14STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

IRLZ14STRL Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ14STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ14STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ14STRL.

Produkteigenschaften IRLZ14STRL IRLZ14SPBF IRLZ24 IRLZ14
Artikelnummer IRLZ14STRL IRLZ14SPBF IRLZ24 IRLZ14
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 17A (Tc) 10A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IRLZ14 IRLZ14 IRLZ24 IRLZ14
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc) 43W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 100mOhm @ 10A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V

IRLZ14STRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ14STRL PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLZ14STRL - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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