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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ14STRLPBF
Vishay Siliconix
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IRLZ14STRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ14STRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ14STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 30350

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Spezifikation

IRLZ14STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ14STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ14STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ14STRLPBF.

Produkteigenschaften IRLZ14STRLPBF IRLZ14 IRLZ14STRL IRLW630ATM
Artikelnummer IRLZ14STRLPBF IRLZ14 IRLZ14STRL IRLW630ATM
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 400mOhm @ 4.5A, 5V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 9A (Tc)
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263) I2PAK (TO-262)
Grundproduktnummer IRLZ14 IRLZ14 IRLZ14 IRLW63
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLZ14STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ14STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLZ14STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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