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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI1305DL-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1305DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1305DL-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1305DL-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
SI1305DL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4530

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Anzahl

Spezifikation

SI1305DL-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1305DL-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1305DL-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 290mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860mA (Ta)  
Grundproduktnummer SI1305  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1305DL-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1305DL-T1-E3 SI1307DL-T1-E3 SI1305EDL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3
Artikelnummer SI1305DL-T1-E3 SI1307DL-T1-E3 SI1305EDL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Verlustleistung (max) 290mW (Ta) 290mW (Ta) 290mW (Ta) 290mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Serie TrenchFET® TrenchFET® - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Grundproduktnummer SI1305 SI1307 SI1305 SI1307
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 12 V 8 V 12 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V 290mOhm @ 1A, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V 290mOhm @ 1A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860mA (Ta) 850mA (Ta) 860mA (Ta) 850mA (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SI1305DL-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1305DL-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1305DL-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI1305DL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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