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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI1307DL-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1307DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1307DL-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1307DL-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
SI1307DL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5400

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Anzahl

Spezifikation

SI1307DL-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1307DL-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1307DL-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 290mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 850mA (Ta)  
Grundproduktnummer SI1307  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1307DL-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1307DL-T1-E3 SI1305DL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3 SI1400DL-T1-E3
Artikelnummer SI1307DL-T1-E3 SI1305DL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3 SI1400DL-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 850mA (Ta) 860mA (Ta) 850mA (Ta) 1.6A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V 290mOhm @ 1A, 4.5V 150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 8 V 12 V 20 V
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verlustleistung (max) 290mW (Ta) 290mW (Ta) 290mW (Ta) 568mW (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Serie TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer SI1307 SI1305 SI1307 SI1400

SI1307DL-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1307DL-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1307DL-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI1307DL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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