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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1557DH-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1557DH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1557DH-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1557DH-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
SI1557DH-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4760

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Anzahl

Spezifikation

SI1557DH-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1557DH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1557DH-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1.2A, 4.5V  
Leistung - max 470mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A, 770mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI1557  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1557DH-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1557DH-T1-E3 SI1563DH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
Artikelnummer SI1557DH-T1-E3 SI1563DH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1.4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1.2A, 4.5V 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A, 770mA 1.13A, 880mA 660mA, 570mA 660mA, 410mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 20V 20V, 8V 20V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer SI1557 SI1563 SI1555 SI1553
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 470mW 570mW 270mW 270mW

SI1557DH-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1557DH-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1557DH-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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