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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1563EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI1563EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1563EDH-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1563EDH-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
SI1563EDH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3730

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Anzahl

Spezifikation

SI1563EDH-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1563EDH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1563EDH-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V  
Leistung - max 570mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.13A, 880mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SI1563  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1563EDH-T1-E3 SI1555DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-GE3
Artikelnummer SI1563EDH-T1-E3 SI1555DL-T1-E3 SI1900DL-T1-E3 SI1900DL-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V 480mOhm @ 590mA, 10V 480mOhm @ 590mA, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V 1.4nC @ 10V 1.4nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.13A, 880mA 660mA, 570mA 590mA 630mA (Ta), 590mA (Ta)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer SI1563 SI1555 SI1900 SI1900
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V, 8V 30V 30V
Leistung - max 570mW 270mW 270mW 300mW, 270mW
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI1563EDH-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1563EDH-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1563EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Datenblätter
SI1563EDH.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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