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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1988DH-T1-E3
Vishay Siliconix
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SI1988DH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1988DH-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1988DH-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
SI1988DH.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3870

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Spezifikation

SI1988DH-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1988DH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1988DH-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 168mOhm @ 1.4A, 4.5V  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 8V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI1988  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1988DH-T1-E3.

Produkteigenschaften SI1988DH-T1-E3 SI1972DH-T1-E3 SI1922EDH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3
Artikelnummer SI1988DH-T1-E3 SI1972DH-T1-E3 SI1922EDH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 168mOhm @ 1.4A, 4.5V 225mOhm @ 1.3A, 10V 198mOhm @ 1A, 4.5V 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V 75pF @ 15V - 110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 8V 2.8nC @ 10V 2.5nC @ 8V 4nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Grundproduktnummer SI1988 SI1972 SI1922 SI1967
Leistung - max 1.25W 1.25W 740mW (Ta), 1.25W (Tc) 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.3A 1.3A 1.3A (Ta), 1.3A (Tc) 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.8V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI1988DH-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1988DH-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1988DH-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
SI1988DH.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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