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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4214DDY-T1-E3
SI4214DDY-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4214DDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4214DDY-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4214DDY-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4214DDY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 114020

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Anzahl

Spezifikation

SI4214DDY-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 3.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4214  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-E3.

Produkteigenschaften SI4214DDY-T1-E3 SI4210DY-T1-GE3 SI4226DY-T1-E3 SI4214DY-T1-GE3
Artikelnummer SI4214DDY-T1-E3 SI4210DY-T1-GE3 SI4226DY-T1-E3 SI4214DY-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer SI4214 SI4210 SI4226 SI4214
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 445pF @ 15V 1255pF @ 15V 785pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V 12nC @ 10V 36nC @ 10V 23nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A 6.5A 8A 8.5A
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 8A, 10V 35.5mOhm @ 5A, 10V 19.5mOhm @ 7A, 4.5V 23.5mOhm @ 7A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 25V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 3.1W 2.7W 3.2W 3.1W

SI4214DDY-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4214DDY-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4214DDY-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI4214DDY.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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