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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4214DY-T1-GE3
SI4214DY-T1-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI4214DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4214DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4214DY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4214DY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

SI4214DY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4214DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4214DY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 3.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4214  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4214DY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4214DY-T1-GE3 SI4226DY-T1-E3 SI4210DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-E3
Artikelnummer SI4214DY-T1-GE3 SI4226DY-T1-E3 SI4210DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Leistung - max 3.1W 3.2W 2.7W 3.1W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer SI4214 SI4226 SI4210 SI4228
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 36nC @ 10V 12nC @ 10V 25nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A 8A 6.5A 8A
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 7A, 10V 19.5mOhm @ 7A, 4.5V 35.5mOhm @ 5A, 10V 18mOhm @ 7A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 15V 1255pF @ 15V 445pF @ 15V 790pF @ 12.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 25V 30V 25V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SI4214DY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4214DY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4214DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Datenblätter
SI4214DY.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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Vishay Siliconix
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