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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI4228DY-T1-GE3
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SI4228DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI4228DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI4228DY-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI4228DY.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 102030

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Spezifikation

SI4228DY-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI4228DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI4228DY-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 3.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 12.5V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI4228  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI4228DY-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI4228DY-T1-GE3 SI4276DY-T1-GE3 SI4286DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-E3
Artikelnummer SI4228DY-T1-GE3 SI4276DY-T1-GE3 SI4286DY-T1-GE3 SI4228DY-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 8A 7A 8A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 12.5V 1000pF @ 15V 375pF @ 20V 790pF @ 12.5V
Leistung - max 3.1W 3.6W, 2.8W 2.9W 3.1W
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Grundproduktnummer SI4228 SI4276 SI4286 SI4228
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 30V 40V 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 26nC @ 10V 10.5nC @ 10V 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 10V 15.3mOhm @ 9.5A, 10V 32.5mOhm @ 8A, 10V 18mOhm @ 7A, 10V

SI4228DY-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI4228DY-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI4228DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI4228DY.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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SI4228DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI4228DY-T1-GE3

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