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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI6967DQ-T1-E3
SI6967DQ-T1-E3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI6967DQ-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI6967DQ-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI6967DQ-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
SI6967DQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

SI6967DQ-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI6967DQ-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI6967DQ-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI6967  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI6967DQ-T1-E3.

Produkteigenschaften SI6967DQ-T1-E3 SI6966EDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6966DQ-T1-E3
Artikelnummer SI6967DQ-T1-E3 SI6966EDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6966DQ-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V 20V 20V 20V
Grundproduktnummer SI6967 SI6966 SI6968 SI6966
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V 18nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.1W 1.25W 1W 830mW
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V 30mOhm @ 5.2A, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - 5.2A 4A
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 1.6V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -

SI6967DQ-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI6967DQ-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI6967DQ-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
Datenblätter
SI6967DQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6967DQ-T1-E3

Vishay Siliconix
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