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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI6968BEDQ-T1-GE3
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI6968BEDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI6968BEDQ-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
SI6968BEDQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 109940

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Anzahl

Spezifikation

SI6968BEDQ-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI6968BEDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI6968BEDQ-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer SI6968  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI6968BEDQ-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6967DQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3
Artikelnummer SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6967DQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 SI6969DQ-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer SI6968 SI6967 SI6968 SI6969
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A - 5.2A -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1.6V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V 40nC @ 4.5V 18nC @ 4.5V 40nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 8V 20V 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 5A, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 1W 1.1W 1W 1.1W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6968BEDQ-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI6968BEDQ-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI6968BEDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Datenblätter
SI6968BEDQ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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