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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7456DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7456DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7456DP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7456DP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7456DP-T1-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34806

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Anzahl

Spezifikation

SI7456DP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7456DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7456DP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta)  
Grundproduktnummer SI7456  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7456DP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7456DP-T1-E3 SI7454DDP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3
Artikelnummer SI7456DP-T1-E3 SI7454DDP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29.5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer SI7456 SI7454 SI7456 SI7456
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta) 21A (Tc) 5.7A (Ta) 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V 33mOhm @ 10A, 10V 25mOhm @ 9.3A, 10V 23mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) 1.9W (Ta) 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8

SI7456DP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7456DP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7456DP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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