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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7457DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7457DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7457DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7457DP-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7457DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5380

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Anzahl

Spezifikation

SI7457DP-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7457DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7457DP-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 7.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5230 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer SI7457  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7457DP-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7457DP-T1-GE3 SI7459DP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 SI7456DP-T1-E3
Artikelnummer SI7457DP-T1-GE3 SI7459DP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 SI7456DP-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 13A (Ta) 27.5A (Tc) 5.7A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 7.9A, 10V 6.8mOhm @ 22A, 10V 23.5mOhm @ 10A, 10V 25mOhm @ 9.3A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5230 pF @ 50 V - 730 pF @ 50 V -
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) 1.9W (Ta) 5W (Ta), 35.7W (Tc) 1.9W (Ta)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Grundproduktnummer SI7457 SI7459 SI7456 SI7456
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 100 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SI7457DP-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7457DP-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7457DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf
Datenblätter
SI7457DP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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