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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7848BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7848BDP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7848BDP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7848BDP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7848BDP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48190

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Anzahl

Spezifikation

SI7848BDP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7848BDP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7848BDP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 4.2W (Ta), 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer SI7848  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7848BDP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7848BDP-T1-E3 SI7846DP-T1-GE3 SI7848DP-T1-E3 SI7848BDP-T1-GE3
Artikelnummer SI7848BDP-T1-E3 SI7846DP-T1-GE3 SI7848DP-T1-E3 SI7848BDP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 20 V - - 2000 pF @ 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 4.2W (Ta), 36W (Tc) 1.9W (Ta) 1.83W (Ta) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Grundproduktnummer SI7848 SI7846 SI7848 SI7848
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 16A, 10V 50mOhm @ 5A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 28 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 150 V 40 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 4A (Ta) 10.4A (Ta) 47A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

SI7848BDP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7848BDP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7848BDP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI7848BDP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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