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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7850ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7850ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7850ADP-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7850ADP-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7850ADP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58690

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Anzahl

Spezifikation

SI7850ADP-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7850ADP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7850ADP-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET® Gen IV  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.3A (Ta), 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SI7850  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7850ADP-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7850ADP-T1-GE3 SI7848DP-T1-E3 SI7848BDP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3
Artikelnummer SI7850ADP-T1-GE3 SI7848DP-T1-E3 SI7848BDP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.3A (Ta), 12A (Tc) 10.4A (Ta) 47A (Tc) 6.2A (Ta)
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) 1.83W (Ta) 4.2W (Ta), 36W (Tc) 1.8W (Ta)
Grundproduktnummer SI7850 SI7848 SI7848 SI7850
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 40 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 30 V - 2000 pF @ 20 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 10A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 16A, 10V 22mOhm @ 10.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 28 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie TrenchFET® Gen IV TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8

SI7850ADP-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7850ADP-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7850ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SI7850ADP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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