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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSI7868ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7868ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7868ADP-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7868ADP-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SI7868ADP-T1-GE3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16045

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Anzahl

Spezifikation

SI7868ADP-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7868ADP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7868ADP-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.25mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6110 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer SI7868  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7868ADP-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI7868ADP-T1-GE3 SI7868ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-GE3 SI7866ADP-T1-GE3 MOS
Artikelnummer SI7868ADP-T1-GE3 SI7868ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-GE3 SI7866ADP-T1-GE3 MOS
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.25mOhm @ 20A, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V 2.4mOhm @ 20A, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc) -
Grundproduktnummer SI7868 SI7868 SI7866 -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 1.6V @ 250µA 2.2V @ 250µA -
Verlustleistung (max) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6110 pF @ 10 V 6110 pF @ 10 V 5415 pF @ 10 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -

SI7868ADP-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7868ADP-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7868ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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