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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI7872DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SI7872DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI7872DP-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI7872DP-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt
SI7872DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5410

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Anzahl

Spezifikation

SI7872DP-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI7872DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI7872DP-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.4A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer SI7872  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI7872DP-T1-E3.

Produkteigenschaften SI7872DP-T1-E3 SI7872DP-T1-GE3 SI7872DP-T1-GE3 MOS Si7880DP-T1
Artikelnummer SI7872DP-T1-E3 SI7872DP-T1-GE3 SI7872DP-T1-GE3 MOS Si7880DP-T1
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual - -
Leistung - max 1.4W 1.4W - -
Serie LITTLE FOOT® LITTLE FOOT® - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V 22mOhm @ 7.5A, 10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.4A 6.4A - -
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V - -
Grundproduktnummer SI7872 SI7872 - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

SI7872DP-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI7872DP-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI7872DP-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 15/Sep/2017.pdf Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf
Datenblätter
SI7872DP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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