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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIA411DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIA411DJ-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIA411DJ-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIA411DJ-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt
SiA411DJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4310

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Anzahl

Spezifikation

SIA411DJ-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIA411DJ-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIA411DJ-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.9A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 8 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SIA411  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIA411DJ-T1-E3.

Produkteigenschaften SIA411DJ-T1-E3 SIA418DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3
Artikelnummer SIA411DJ-T1-E3 SIA418DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V ±20V ±5V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Grundproduktnummer SIA411 SIA418 SIA417 SIA413
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 19W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 10 V 570 pF @ 15 V 1600 pF @ 4 V 1800 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 8 V 12 V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 8 V 17 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 57 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.9A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 10V 23mOhm @ 7A, 4.5V 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

SIA411DJ-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIA411DJ-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIA411DJ-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Datenblätter
SiA411DJ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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