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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIA414DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIA414DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIA414DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIA414DJ-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt
SIA414DJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 89400

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Anzahl

Spezifikation

SIA414DJ-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIA414DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIA414DJ-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9.7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SIA414  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIA414DJ-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIA414DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 SIA419DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3
Artikelnummer SIA414DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 SIA419DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9.7A, 4.5V 23mOhm @ 7A, 4.5V 30mOhm @ 5.9A, 4.5V 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 19W (Tc)
Grundproduktnummer SIA414 SIA417 SIA419 SIA413
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 8 V 20 V 12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±5V ±5V ±5V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 4 V 1600 pF @ 4 V 1500 pF @ 10 V 1800 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 1V @ 250µA 850mV @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V 29 nC @ 5 V 57 nC @ 8 V

SIA414DJ-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIA414DJ-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIA414DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SIA414DJ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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