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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIA419DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIA419DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIA419DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIA419DJ-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt
SIA419DJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4220

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Anzahl

Spezifikation

SIA419DJ-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIA419DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIA419DJ-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.9A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer SIA419  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIA419DJ-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIA419DJ-T1-GE3 SIA430DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3
Artikelnummer SIA419DJ-T1-GE3 SIA430DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 4.5V, 10V 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 8 V 12 V
Grundproduktnummer SIA419 SIA430 SIA417 SIA413
Vgs (Max) ±5V ±20V ±5V ±8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 5 V 18 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 57 nC @ 8 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.9A, 4.5V 13.5mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 4.5V 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 10 V 800 pF @ 10 V 1600 pF @ 4 V 1800 pF @ 10 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

SIA419DJ-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIA419DJ-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIA419DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Datenblätter
SIA419DJ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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