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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIE808DF-T1-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIE808DF-T1-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIE808DF-T1-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIE808DF-T1-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
10-PolarPAK® (L)
Datenblatt
SIE808DF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21812

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Anzahl

Spezifikation

SIE808DF-T1-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIE808DF-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIE808DF-T1-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer SIE808  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIE808DF-T1-E3.

Produkteigenschaften SIE808DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 SIE810DF-T1-GE3 SIE802DF-T1-E3
Artikelnummer SIE808DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 SIE810DF-T1-GE3 SIE802DF-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 40 V 20 V 30 V
Grundproduktnummer SIE808 SIE812 SIE810 SIE802
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V 1.4mOhm @ 25A, 10V 1.9mOhm @ 23.6A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 10 V 8300 pF @ 20 V 13000 pF @ 10 V 7000 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

SIE808DF-T1-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIE808DF-T1-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIE808DF-T1-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SIE808DF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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