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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIE874DF-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIE874DF-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIE874DF-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
10-PolarPAK® (L)
Datenblatt
SIE874DF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19859

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Anzahl

Spezifikation

SIE874DF-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIE874DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIE874DF-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.17mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer SIE874  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIE874DF-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIE874DF-T1-GE3 SIE808DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3
Artikelnummer SIE874DF-T1-GE3 SIE808DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200 pF @ 10 V 8800 pF @ 10 V 6100 pF @ 15 V 6100 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer SIE874 SIE808 SIE848 SIE848
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.17mOhm @ 20A, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V

SIE874DF-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIE874DF-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIE874DF-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SIE874DF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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