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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIHA15N60E-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIHA15N60E-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIHA15N60E-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIHA15N60E-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
SIHA15N60E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25117

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Anzahl

Spezifikation

SIHA15N60E-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIHA15N60E-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIHA15N60E-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Full Pack  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 34W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer SIHA15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIHA15N60E-E3.

Produkteigenschaften SIHA15N60E-E3 SIHB15N60E-GE3 SIHA22N60AEL-GE3 SIHA12N60E-E3
Artikelnummer SIHA15N60E-E3 SIHB15N60E-GE3 SIHA22N60AEL-GE3 SIHA12N60E-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 21A (Tc) 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Verlustleistung (max) 34W (Tc) 180W (Tc) 35W (Tc) 33W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer SIHA15 SIHB15 SIHA22 SIHA12
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - EL -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220 Full Pack D²PAK (TO-263) TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 100 V 1350 pF @ 100 V 1757 pF @ 100 V 937 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Bulk Bulk Tube

SIHA15N60E-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIHA15N60E-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIHA15N60E-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SIHA15N60E.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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