SIHA22N60AEL-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIHA22N60AEL-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIHA22N60AEL-GE3

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Full Pack
Serie	EL
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)	35W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Paket	Bulk

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1757 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	21A (Tc)
Grundproduktnummer	SIHA22

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIHA22N60AEL-GE3.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	SIHA22N60AEL-GE3	SIHB15N60E-GE3	SIHB12N50C-E3	SIHB10N40D-GE3
Hersteller	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Full Pack	D²PAK (TO-263)	D²PAK (TO-263)	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V	78 nC @ 10 V	48 nC @ 10 V	30 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1757 pF @ 100 V	1350 pF @ 100 V	1375 pF @ 25 V	526 pF @ 100 V
Grundproduktnummer	SIHA22	SIHB15	SIHB12	SIHB10
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
Vgs (Max)	±30V	±30V	±30V	±30V
Verlustleistung (max)	35W (Tc)	180W (Tc)	208W (Tc)	147W (Tc)
Befestigungsart	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Serie	EL	-	-	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V	280mOhm @ 8A, 10V	555mOhm @ 4A, 10V	600mOhm @ 5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V	600 V	500 V	400 V
FET-Merkmal	-	-	-	-
Paket	Bulk	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tube
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	21A (Tc)	15A (Tc)	12A (Tc)	10A (Tc)

SIHA22N60AEL-GE3 Datenblatt PDF

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Datenblätter: SIHA22N60AEL.pdf

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