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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIR608DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIR608DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIR608DP-T1-RE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIR608DP-T1-RE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SiR608DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57850

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Anzahl

Spezifikation

SIR608DP-T1-RE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIR608DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIR608DP-T1-RE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) +20V, -16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET® Gen IV  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 167 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Ta), 208A (Tc)  
Grundproduktnummer SIR608  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIR608DP-T1-RE3.

Produkteigenschaften SIR608DP-T1-RE3 SIR618DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3
Artikelnummer SIR608DP-T1-RE3 SIR618DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V 95mOhm @ 8A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 50.5mOhm @ 10A, 10V
Grundproduktnummer SIR608 SIR618 SIR624 SIR616
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 167 nC @ 10 V 16 nC @ 7.5 V 23 nC @ 7.5 V 28 nC @ 7.5 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Vgs (Max) +20V, -16V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Ta), 208A (Tc) 14.2A (Tc) 18.6A (Tc) 20.2A (Tc)
Verlustleistung (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 48W (Tc) 52W (Tc) 52W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 7.5V, 10V 7.5V, 10V 7.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 20 V 740 pF @ 100 V 1110 pF @ 100 V 1450 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45 V 200 V 200 V 200 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® Gen IV ThunderFET® ThunderFET® ThunderFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SIR608DP-T1-RE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIR608DP-T1-RE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIR608DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SiR608DP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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