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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIR626DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIR626DP-T1-RE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIR626DP-T1-RE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SO-8
Datenblatt
SIR626DP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50400

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Anzahl

Spezifikation

SIR626DP-T1-RE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIR626DP-T1-RE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIR626DP-T1-RE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET® Gen IV  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5130 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 7.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer SIR626  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIR626DP-T1-RE3.

Produkteigenschaften SIR626DP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 SIR616DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-RE3
Artikelnummer SIR626DP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 SIR616DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-RE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie TrenchFET® Gen IV TrenchFET® Gen IV ThunderFET® TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 50.5mOhm @ 10A, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5130 pF @ 30 V 9100 pF @ 100 V 1450 pF @ 100 V 10500 pF @ 20 V
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 104W (Tc) 52W (Tc) 104W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 200 V 40 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 7.5 V 165 nC @ 10 V 28 nC @ 7.5 V 204 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 20.2A (Tc) 100A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer SIR626 SIR638 SIR616 SIR638
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V +20V, -16V ±20V +20V, -16V

SIR626DP-T1-RE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIR626DP-T1-RE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIR626DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Datenblätter
SIR626DP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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