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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSIZ700DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIZ700DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIZ700DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIZ700DT-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerPair™
Datenblatt
SIZ700DT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4450

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Anzahl

Spezifikation

SIZ700DT-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIZ700DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIZ700DT-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PowerPair™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V  
Leistung - max 2.36W, 2.8W  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerPair™  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer SIZ700  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIZ700DT-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIZ700DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3
Artikelnummer SIZ700DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V 6.8mOhm @ 19A, 10V 9.3mOhm @ 15A, 10V 24mOhm @ 7.8A, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Supplier Device-Gehäuse 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V 30V
Verpackung / Gehäuse 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 2.36W, 2.8W 27W, 48W 27W, 48W 20W, 30W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V 820pF @ 10V 830pF @ 15V 435pF @ 15V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer SIZ700 SIZ710 SIZ730 SIZ704
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V 18nC @ 10V 24nC @ 10V 12nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A 16A, 35A 16A, 35A 12A, 16A

SIZ700DT-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIZ700DT-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIZ700DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Datenblätter
SIZ700DT.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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