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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSIZ704DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SIZ704DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SIZ704DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SIZ704DT-T1-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerPair™
Datenblatt
SIZ704DT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59640

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Anzahl

Spezifikation

SIZ704DT-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SIZ704DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SIZ704DT-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PowerPair™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V  
Leistung - max 20W, 30W  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerPair™  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A, 16A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer SIZ704  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SIZ704DT-T1-GE3.

Produkteigenschaften SIZ704DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 SIZ342DT-T1-GE3 SIZ728DT-T1-GE3
Artikelnummer SIZ704DT-T1-GE3 SIZ340DT-T1-GE3 SIZ342DT-T1-GE3 SIZ728DT-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V 760pF @ 15V 650pF @ 15V 890pF @ 12.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 6-PowerPair™ 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 6-PowerPair™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V 9.5mOhm @ 15.6A, 10V 11.5mOhm @ 14A, 10V 7.7mOhm @ 18A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 25V
Grundproduktnummer SIZ704 SIZ340 SIZ342 SIZ728
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A, 16A 30A, 40A 15.7A (Ta), 100A (Tc) 16A, 35A
Supplier Device-Gehäuse 6-PowerPair™ 8-Power33 (3x3) 8-Power33 (3x3) 6-PowerPair™
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge)
Serie TrenchFET® PowerPAIR®, TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Leistung - max 20W, 30W 16.7W, 31W 3.6W, 4.3W 27W, 48W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 19nC @ 10V 20nC @ 10V 26nC @ 10V

SIZ704DT-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SIZ704DT-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SIZ704DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Datenblätter
SIZ704DT.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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