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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQ1431EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQ1431EH-T1_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQ1431EH-T1_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
SQ1431EH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 132680

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Anzahl

Spezifikation

SQ1431EH-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQ1431EH-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQ1431EH-T1_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer SQ1431  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQ1431EH-T1_GE3.

Produkteigenschaften SQ1431EH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Artikelnummer SQ1431EH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V - ±12V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Verlustleistung (max) 3W (Tc) - 3.3W (Tc) -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.6V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 5.2 nC @ 4.5 V 6.6 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 1.6A (Tc) 1.7A (Tc) 2.8A (Tc)
Grundproduktnummer SQ1431 SQ1420 SQ1470 SQ1470
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 2A, 10V 140mOhm @ 1.2A, 10V 65mOhm @ 4.2A, 4.5V 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V 450 pF @ 15 V 610 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V

SQ1431EH-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQ1431EH-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQ1431EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014.pdf
Datenblätter
SQ1431EH.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SQ1431EH Datasheet Chg 02/Dec/2015.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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