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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSQ1539EH-T1_GE3
SQ1539EH-T1_GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQ1539EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQ1539EH-T1_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQ1539EH-T1_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt
SQ1539EH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 170930

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Anzahl

Spezifikation

SQ1539EH-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQ1539EH-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQ1539EH-T1_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 15V, 50pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 850mA (Tc)  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer SQ1539  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQ1539EH-T1_GE3.

Produkteigenschaften SQ1539EH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ125-L
Artikelnummer SQ1539EH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ125-L
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix SQ
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V 280mOhm @ 1.2A, 4.5V 140mOhm @ 1.2A, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 850mA (Tc) 800mA (Tc) 1.6A (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 15V, 50pF @ 15V 27pF @ 10V 215 pF @ 25 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 60 V -
Leistung - max 1.5W 1.5W - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V 1.25nC @ 4.5V 4 nC @ 4.5 V -
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Serie TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual SC-70-6 SC-70-6 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Grundproduktnummer SQ1539 SQ1912 SQ1420 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) - -
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

SQ1539EH-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQ1539EH-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQ1539EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQ1539EH.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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