SQA401EEJ-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQA401EEJ-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQA401EEJ-T1_GE3

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	113mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	13.6W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.68A (Tc)
Grundproduktnummer	SQA401

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQA401EEJ-T1_GE3.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	SQA401EEJ-T1_GE3	SI3457CDV-T1-GE3	IXFA110N15T2	PJ2301_R1_00001
Hersteller	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	IXYS	Panjit International Inc.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3 nC @ 4.5 V	15 nC @ 10 V	150 nC @ 10 V	5.4 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.68A (Tc)	5.1A (Tc)	110A (Tc)	3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	4.5V, 10V	10V	1.8V, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V	30 V	150 V	20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	113mOhm @ 2A, 4.5V	74mOhm @ 4.1A, 10V	13mOhm @ 55A, 10V	100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Typ FET	P-Channel	P-Channel	N-Channel	P-Channel
FET-Merkmal	-	-	-	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 10 V	450 pF @ 15 V	8600 pF @ 25 V	416 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±8V	±20V	±20V	±12V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Verlustleistung (max)	13.6W (Tc)	2W (Ta), 3W (Tc)	480W (Tc)	1.25W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	3V @ 250µA	4.5V @ 250µA	1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer	SQA401	SI3457	IXFA110	PJ2301
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	TrenchFET®	HiPerFET™, TrenchT2™	-
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6	6-TSOP	TO-263 (D2Pak)	SOT-23

SQA401EEJ-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQA401EEJ-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQA401EEJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter: SQA401EEJ.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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