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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQA401EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SQA401EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQA401EJ-T1_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQA401EJ-T1_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.75A PPAK SC70
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt
SQA401EJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 144610

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Anzahl

Spezifikation

SQA401EJ-T1_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQA401EJ-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQA401EJ-T1_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 13.6W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.75A (Tc)  
Grundproduktnummer SQA401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3.

Produkteigenschaften SQA401EJ-T1_GE3 IPD40DP06NMATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 IXTP140P05T
Artikelnummer SQA401EJ-T1_GE3 IPD40DP06NMATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 IXTP140P05T
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 4V @ 166µA 3.5V @ 30µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±15V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 13.6W (Tc) 19W (Tc) 18W (Tc) 298W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 10 V 5.8 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® OptiMOS™ CoolMOS™ P7 TrenchP™
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.75A (Tc) 4.3A (Tc) 1.9A (Tc) 140A (Tc)
Grundproduktnummer SQA401 IPD40DP06 IPD80R3 IXTP140
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V 260 pF @ 30 V 120 pF @ 500 V 13500 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 800 V 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V 400mOhm @ 4.3A, 10V 3.3Ohm @ 590mA, 10V 9mOhm @ 70A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

SQA401EJ-T1_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQA401EJ-T1_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQA401EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SQA401EJ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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