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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSQP120N10-09_GE3
SQP120N10-09_GE3 Image
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SQP120N10-09_GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SQP120N10-09_GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SQP120N10-09_GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SQP120N10-09.pdf
vorrätig: 21136

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Spezifikation

SQP120N10-09_GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SQP120N10-09_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SQP120N10-09_GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8645 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer SQP120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SQP120N10-09_GE3.

Produkteigenschaften SQP120N10-09_GE3 AOD482 IXTY1N120P FDP20AN06A0
Artikelnummer SQP120N10-09_GE3 AOD482 IXTY1N120P FDP20AN06A0
Hersteller Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc. IXYS onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 5A (Ta), 32A (Tc) 1A (Tc) 9A (Ta), 45A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V - 19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V 37mOhm @ 10A, 10V - 20mOhm @ 45A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 1200 V 60 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8645 pF @ 25 V 2000 pF @ 50 V - 950 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® - Polar PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) - 90W (Tc)
Grundproduktnummer SQP120 AOD48 IXTY1 FDP20
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA - 4V @ 250µA
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V - 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-252 (DPAK) TO-252AA TO-220-3

SQP120N10-09_GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SQP120N10-09_GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SQP120N10-09_GE3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 12/Nov/2021.pdf
Datenblätter
SQP120N10-09.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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