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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN24N100F
IXYS
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IXFN24N100F - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN24N100F
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN24N100F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN24N100F.pdf
vorrätig: 4660

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Spezifikation

IXFN24N100F Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN24N100F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN24N100F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerRF™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN24N100F.

Produkteigenschaften IXFN24N100F IXFN24N90Q IXFN23N100 IXFN25N90
Artikelnummer IXFN24N100F IXFN24N90Q IXFN23N100 IXFN25N90
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 500W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 900 V 1000 V 900 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA - 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V - - 240 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Grundproduktnummer IXFN24 IXFN24 IXFN23 IXFN25
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 23A (Tc) 25A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V - - 10800 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V - - 330mOhm @ 500mA, 10V
Serie HiPerRF™ HiPerFET™, Q Class - HiPerFET™
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFN24N100F Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN24N100F PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN24N100F - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 18/Jan/2019.pdf
Datenblätter
IXFN24N100F.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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