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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUM90220E-GE3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUM90220E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUM90220E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUM90220E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
SUM90220E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23627

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Anzahl

Spezifikation

SUM90220E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUM90220E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUM90220E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.6mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer SUM90220  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUM90220E-GE3.

Produkteigenschaften SUM90220E-GE3 SUM90N04-3M3P-E3 SUM90N06-5M5P-E3 SUM90N10-8M2P-E3
Artikelnummer SUM90220E-GE3 SUM90N04-3M3P-E3 SUM90N06-5M5P-E3 SUM90N10-8M2P-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.6mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 22A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 8.2mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Serie ThunderFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V 5286 pF @ 20 V 4700 pF @ 30 V 6290 pF @ 50 V
Grundproduktnummer SUM90220 SUM90 SUM90 SUM90
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 40 V 60 V 100 V

SUM90220E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUM90220E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUM90220E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUM90220E.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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