SUM90N06-5M5P-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUM90N06-5M5P-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUM90N06-5M5P-E3

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (D²Pak)
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	3.75W (Ta), 272W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)
Grundproduktnummer	SUM90

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUM90N06-5M5P-E3.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	SUM90N06-5M5P-E3	SUM90N06-4M4P-E3	SUM90P10-19L-E3	SUM90N03-2M2P-E3
Hersteller	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	4.5V @ 250µA	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)	90A (Tc)	90A (Tc)	90A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	60 V	100 V	30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 30 V	6190 pF @ 30 V	11100 pF @ 50 V	12065 pF @ 15 V
Serie	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
Grundproduktnummer	SUM90	SUM90	SUM90	SUM90
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (D²Pak)	TO-263 (D²Pak)	TO-263 (D²Pak)	TO-263 (D²Pak)
Verlustleistung (max)	3.75W (Ta), 272W (Tc)	3.75W (Ta), 300W (Tc)	13.6W (Ta), 375W (Tc)	3.75W (Ta), 250W (Tc)
FET-Merkmal	-	-	-	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Typ FET	N-Channel	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V	4.4mOhm @ 20A, 10V	19mOhm @ 20A, 10V	2.2mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V	160 nC @ 10 V	326 nC @ 10 V	257 nC @ 10 V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount

SUM90N06-5M5P-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUM90N06-5M5P-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUM90N06-5M5P-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter: SUM90N06-5M5P-E3.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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