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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP60020E-GE3
SUP60020E-GE3 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP60020E-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP60020E-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP60020E-GE3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP60020E Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19279

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Anzahl

Spezifikation

SUP60020E-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP60020E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP60020E-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10680 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP60020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP60020E-GE3.

Produkteigenschaften SUP60020E-GE3 SUP57N20-33-E3 SUP60N06-12P-E3 SUP60N06-12P-GE3
Artikelnummer SUP60020E-GE3 SUP57N20-33-E3 SUP60N06-12P-E3 SUP60N06-12P-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 200 V 60 V 60 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) 3.25W (Ta), 100W (Tc) 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer SUP60020 SUP57 SUP60 SUP60
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V 33mOhm @ 30A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10680 pF @ 40 V 5100 pF @ 25 V 1970 pF @ 30 V 1970 pF @ 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 57A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)

SUP60020E-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUP60020E-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUP60020E-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
SUP60020E Datasheet.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SUP60020E-GE3

Vishay Siliconix
32D-SUP60020E-GE3

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