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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP60N10-16L-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP60N10-16L-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP60N10-16L-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP60N10-16L-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP60N10-16L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5440

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Anzahl

Spezifikation

SUP60N10-16L-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP60N10-16L-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP60N10-16L-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP60N10-16L-E3.

Produkteigenschaften SUP60N10-16L-E3 SUP57N20-33-E3 SUP65P04-15-E3 SUP60020E-GE3
Artikelnummer SUP60N10-16L-E3 SUP57N20-33-E3 SUP65P04-15-E3 SUP60020E-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Grundproduktnummer SUP60 SUP57 SUP65 SUP60020
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 10680 pF @ 40 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 10V 33mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 57A (Tc) 65A (Tc) 150A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 375W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 40 V 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 227 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 7.5V, 10V

SUP60N10-16L-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUP60N10-16L-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUP60N10-16L-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
SUP60N10-16L.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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