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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP90N06-6M0P-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP90N06-6M0P-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP90N06-6M0P-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP90N06-6M0P-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP90N06-6M0P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20706

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Anzahl

Spezifikation

SUP90N06-6M0P-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP90N06-6M0P-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP90N06-6M0P-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 272W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP90N06-6M0P-E3.

Produkteigenschaften SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N03-03-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N04-3M3P-GE3
Artikelnummer SUP90N06-6M0P-E3 SUP90N03-03-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N04-3M3P-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 30 V 12065 pF @ 15 V 4250 pF @ 30 V 5286 pF @ 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Paket Tube Tube Tube Bulk
Grundproduktnummer SUP90 SUP90 SUP90 SUP90
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 257 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V 2.9mOhm @ 28.8A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 3.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 75 V 40 V

SUP90N06-6M0P-E3 Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
SUP90N06-6M0P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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