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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP90N08-6M8P-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP90N08-6M8P-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP90N08-6M8P-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP90N08-6M8P-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP90N08-6M8P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5230

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Anzahl

Spezifikation

SUP90N08-6M8P-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP90N08-6M8P-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP90N08-6M8P-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 272W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4620 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP90N08-6M8P-E3.

Produkteigenschaften SUP90N08-6M8P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N06-5M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3
Artikelnummer SUP90N08-6M8P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N06-5M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4620 pF @ 30 V 4250 pF @ 30 V 6190 pF @ 30 V 4700 pF @ 30 V
Grundproduktnummer SUP90 SUP90 SUP90 SUP90
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 60 V 60 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V
Paket Tube Tube Strip Tube
Verlustleistung (max) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc)
FET-Merkmal - - - -

SUP90N08-6M8P-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie SUP90N08-6M8P-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SUP90N08-6M8P-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Datenblätter
SUP90N08-6M8P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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