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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSUP90P06-09L-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SUP90P06-09L-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SUP90P06-09L-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SUP90P06-09L-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SUP90P06-09L-E3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11035

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Anzahl

Spezifikation

SUP90P06-09L-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SUP90P06-09L-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SUP90P06-09L-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer SUP90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SUP90P06-09L-E3.

Produkteigenschaften SUP90P06-09L-E3 SUP90N15-18P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N08-6M8P-E3
Artikelnummer SUP90P06-09L-E3 SUP90N15-18P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N08-6M8P-E3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 4180 pF @ 75 V 4250 pF @ 30 V 4620 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 150 V 75 V 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 250W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 30A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 6.8mOhm @ 20A, 10V
Grundproduktnummer SUP90 SUP90 SUP90 SUP90

SUP90P06-09L-E3 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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