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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVQ3001P-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VQ3001P-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
VQ3001P-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-VQ3001P-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
-
Datenblatt
VQ3001J/P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4840

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Anzahl

Spezifikation

VQ3001P-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - VQ3001P-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - VQ3001P-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse -  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1A, 12V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse -  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 850mA, 600mA  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel  
Grundproduktnummer VQ3001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix VQ3001P-E3.

Produkteigenschaften VQ3001P-E3 FDS9933 SIZ980DT-T1-GE3 MCH6604-TL-E
Artikelnummer VQ3001P-E3 FDS9933 SIZ980DT-T1-GE3 MCH6604-TL-E
Hersteller Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 850mA, 600mA 5A 20A (Tc), 60A (Tc) 250mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V 825pF @ 10V 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V 6.6pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 20nC @ 4.5V 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V 1.57nC @ 10V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse - 8-SOIC 8-PowerPair® (6x5) 6-MCPH
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer VQ3001 FDS99 SIZ980 MCH6604
Leistung - max 2W 900mW 20W, 66W 800mW
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 30V 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1A, 12V 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Verpackung / Gehäuse - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerWDFN 6-SMD, Flat Leads
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - PowerTrench® TrenchFET® -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA -

VQ3001P-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie VQ3001P-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für VQ3001P-E3 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Datenblätter
VQ3001J/P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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